有机分子不对称合成催化剂

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有机分子不对称合成催化剂

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有机分子不对称合成催化剂

有机分子不对称合成催化剂

高产率・高选择性

  本产品是带有 Tetraaminophosphonium(N4P)结构的有机分子催化剂。

  用于不对称羟醛缩合反应, 不对称 Michael 加成反应,不对称的氢膦酰化反应等不对称反应,产率与立体选择性都优秀的不对称的合成催化剂 VIP(= Valine-derived IminoPhosphorane)缬氨酸衍生亚氨基磷烷,它在不具有取代基的二胺以及含有M体甲基的物质中会生成P盐。



◆特点


● 多功能手性有机分子催化剂(不对称羟醛反应,如不对称 Michael 加成反应)。

● 获得高产率,高选择性的所需产物。

● 盐酸具有良好的保存稳定性(通过与 KOtBu 等共同使用,作为游离碱来运用)。



不对称醛醇缩合反应(P-VIP)


[a] 本次反应是根据基板 0.10 mmol 来使用的5.0对应量的醛,在2-甲基四氢呋喃中,-50℃的条件下,进行20小时的反应。

[b] 分离的产物的产出率。

[c] 对未提纯的反应物,进行 1 H NMR 测量,确定百分比率。

[d] 使用 CHIRALPAK AD3 柱,确定比例。


● 不对称 Michael 加成反应(P-VIP)

● 不对称 Michael 加成反应(1,6 加成)(P-VIP)

● 不对称氢膦酰化反应(M-VIP·HCl) 

有机分子不对称合成催化剂                     有机分子不对称合成催化剂

P-VIP・HCl                                      M-VIP・HCl 


产品列表

产品编号 产品名称 产品规格 产品等级 备注
226-02381 P-VIP・HCl 
P 不对称合成催化剂
50 mg
229-02371 M-VIP・HCl 
M不对称合成催化剂
50 mg

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n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

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n型有机半导体材料
PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

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n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料

PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

本产品为n型有机半导体材料,其具有优异的大气稳定性和电子迁移速度。

n型有机半导体材料PhCn-BQQDI,无论采用真空沉积法,还是涂布法,均可形成再现性良好的成膜,但C2体(n=2)适合涂布法,而C3体(n=3)适合气相沉积法。

基本信息


PhC2-BQQDI

PhC3-BQQDI

名称

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide(BQQDI

在骨架的亚胺基的氮原子上连有苯乙基(-C2H4Ph)。

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide(BQQDI)在骨架的亚胺基团的氮原子上连有苯丙基(-C3H6Ph)。

结构式

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

实物图

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

包装

氩气填充

外观

红色~红棕色,结晶性粉末~粉末

◆特点


可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。


■ 高迁移性

· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm2/Vs

· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm2/Vs

■ 高稳定性

· 可在大气中长期保持稳定,不受器件结构的影响

· 单晶有机薄膜晶体管(OFET)可维持半年以上,蒸镀法OFET可维持一个月以上

· 迁移性降低率小于10%

■ 高耐性(PhC2-BQQDI)

· 在单晶OFET中,选择任意基板,都具有超过150°C的高耐热应力

· 良好的偏压应力

◆数据

①PhC2-BQQDI

LUMO能级估算、大气·热稳定性评估

● 通过循环伏安法(Cyclic Voltammetry,简称CV),估计LUMO为−4.11 eV(4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性)

● 通过热重-差热分析法(Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis,简称TG−DTA),在421 °C下未观察到分解或相变的热异常

● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外可见光(UV-Vis)光谱无变化。


n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

团聚体结构

呈砖砌型团聚体结构,能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用,并可实现二维电荷传输。

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

PhC2-BQQDI的单晶OFET

元件结构

大气下的输出特性

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

②PhC3-BQQDI

PhC3-BQQDI单晶结构与LUMO之间的转移积分。

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

评估大气中真空气相沉积OTFT特性(通道长/宽=100 µm/1000 µm)

(a)OTFT结构图

(b)PhC2-BQQDI和(c)PhC3-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性(漏极电压:50 V)

 蓝线:室温、绿线:100°C、红线:180°C

(d)PhC2-BQQDI及(e)PhC3-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化

n型有机半导体材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

PhC2-BQQDI与PhC3-BQQDI

化合物

基板温度

平均(最大)迁移速度

(cm2 V-1S-1)†

平均阈值电压

(V)†

接触电阻

(kΩ cm)‡

PhC2-BQQDI

室温

0.29(0.30)

4.6

4.8±0.6

100°C

0.54(0.54)

3.3

5.8±0.5

180°C

0.64(0.65)

3.5

4.7±0.4

PhC3-BQQDI

室温

0.32(0.33)

3.2

1.7±0.3

100°C

0.51(0.53)

1.4

4.3±0.6

180°C

0.65(0.70)

2.5

3.2±0.5


†:在饱和区(漏极电压=50 V)时评估

‡:栅极电压=50 V时的估算值

※ 本页面产品仅供研究用,研究以外不可使用。

参考文献


1.

“Robust, High-Performance n-Type Organic Semiconductors” OPEN ACCESS
Okamoto, T., Kumagai, S., Fukuzaki, E., Ishii, H., Watanabe, G., Niitsu, N., Annaka, T., Yamagishi, M,, Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Watanabe, S., Takeya, J. : Science Advances6, eaaz0632 (2020).
DOI:10.1126/sciadv.aaz0632

2.

“Cooperative Aggregations of Nitrogen-Containing Perylene Diimides Driven by Rigid and Flexible Functional Groups”
Kumagai, S., Ishii, H., Watanabe, G., Annaka, T., Fukuzaki, E., Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Kurosawa, T., Takeya, J., and Okamoto, T.: Chem. Mater32, 21, 9115 (2020).
DOI:10.1021/acs.chemmater.0c01888

3.

岡本 敏宏, 熊谷 翔平:和光純薬時報88, 3, 2 (2020).
https://labchem-wako.fujifilm.com/jp/journal/docs/jiho883.pdf


产品列表

产品编号 产品名称 产品规格 产品等级 备注
165-28601 PhC2-BQQDI 100 mg
166-28871 PhC3-BQQDI 100 mg

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有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

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有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

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有机薄膜太阳电池材料合成用中间体有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

 

虽然太阳能是清洁的可再生能源,但是现今以硅作为基础的太阳能电池技术在加工过程中很多时候采用高温真空蒸镀,仍然存在成本的问题。作为新一代太阳能电池,在常温下,只需用此款试剂涂抹就可以生产。这款使用了有机材料的有机薄膜太阳能电池因此备受关注。下表总列举了有机薄膜太阳能电池材料合成用的中间物。

 

 

序号

货号

产品名称

结构式

规格

1

025-17321

苯并[1,2-B4,5-B']噻吩-4,8-二酮

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

1 g

021-17323

5 g

041-31963

4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑 有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

5 g

043-31962

25 g

3

043-32121

4,7-二溴[1,2,5]噻二唑并[3,4-c]吡啶

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

250 mg

049-32123

1 g

4

042-31971

1,3-二溴-5-甲基-4H-噻吩并[3,4-c]吡咯-4,65H二酮

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

1 g

048-31973

5 g

5

049-31981

4,6-二氢噻吩并[3,4-b]噻吩-2-甲酸

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

1 g

045-31983

5 g

204-18853

3,3',5,5'-四溴-2,2'-二噻吩 有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

5 g

046-32133

3,3'-二溴-5,5'-双(三甲基甲硅烷)-2,2'-联噻吩 有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

5 g

8

047-32141

2,6-二溴-4,4'-二(2-乙基己基)– 4 – H –噻咯并并[3,2-B4,5-B']噻吩

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

1 g

9

024-17651

4,4'-双(2-乙基己基)-4- H-噻咯并[3,2-B4,5-B']噻吩

有机薄膜太阳电池材料合成用中间体

1 g

020-17653

5 g

 


产品列表

产品编号 产品名称 产品规格 产品等级 备注
025-17321 Benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-4,8-dione
苯并[1,2-B:4,5-B’]噻吩-4,8-二酮
1 g for Organic Synthesis
021-17323 Benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-4,8-dione
苯并[1,2-B:4,5-B’]噻吩-4,8-二酮
5 g for Organic Synthesis
041-31963 4,7-Dibromo-2,1,3-benzothiadiazole
4,7-二溴-2,1,3- 苯并噻二唑  
5 g for Organic Synthesis
043-31962 4,7-Dibromo-2,1,3-benzothiadiazole
4,7-二溴-2,1,3- 苯并噻二唑 
25 g for Organic Synthesis
043-32121  4,7-Dibromo-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-c]pyridine
4,7-二溴-[1,2,5] 噻二唑[3,4-c]吡啶 
250 mg for Organic Synthesis
049-32123  4,7-Dibromo-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-c]pyridine
4,7-二溴-[1,2,5] 噻二唑[3,4-c]吡啶
1 g for Organic Synthesis
042-31971  1,3-Dibromo-5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6(5H)-dione
1,3-二溴-5-辛基-4H-噻吩并[3,4-C]吡咯-4,6(5H)-二酮 
1 g for Organic Synthesis
048-31973  1,3-Dibromo-5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6(5H)-dione
1,3-二溴-5-辛基-4H-噻吩并[3,4-C]吡咯-4,6(5H)-二酮 
5 g for Organic Synthesis
049-31981 4,6-Dihydrothieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylic Acid
4,6-二氢噻吩并 [3,4-B]噻吩-2-羧酸
1 g for Organic Synthesis
045-31983 4,6-Dihydrothieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylic Acid
4,6-二氢噻吩并 [3,4-B]噻吩-2-羧酸
5 g for Organic Synthesis
204-18853 3,3′,5,5′-Tetrabromo-2,2′-bithiophene
3,3′,5,5′-四溴- 2,2′-联噻吩
5 g for Organic Synthesis
046-32133 3,3′-Dibromo-5,5′-bis(trimethylsilyl)-2,2′-bithiophene
3,3′-二溴-5,5′- 双(三甲基硅基)- 2,2′-联噻吩
5 g for Organic Synthesis
047-32141 2,6-Dibromo-4,4′-bis(2-ethylhexyl)-4H-silolo [3,2-b:4,5-b’]dithiophene
2,6-二溴-4,4-双(2-乙基己基)-4H-硅杂环戊二烯并[3,2-B:4,5-B’]二噻吩
1 g for Organic Synthesis
024-17651  4,4-Bis(2-ethylhexyl)-4H-silolo[3,2-b:4,5-b’]dithi ophene
4,4′-双(2-乙基己基)-4- H-噻咯并[3,2-B:4,5-B’]噻吩
1 g for Organic Synthesis
020-17653  4,4-Bis(2-ethylhexyl)-4H-silolo[3,2-b:4,5-b’]dithi ophene
4,4′-双(2-乙基己基)-4- H-噻咯并[3,2-B:4,5-B’]噻吩
5 g for Organic Synthesis

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